Ansys RaptorH獲三星2.5D/3D IC與系統電磁效應認證

Ansys RaptorH電磁（electromagnetic；EM）模擬解決方案已獲三星晶圓代工（Samsung Foundry）先進系統單晶片（Systems-on-chip；SoC）以及2.5D/3D積體電路（2.5D/3D-IC）的開發認證。該認證能讓Ansys幫助三星設計師和三星晶圓代工客戶，在採用三星全新signoff流程時更精確分析和減少EM效應相關風險，大幅加快最先進人工智慧（AI）、高效能運算（high-performance computing；HPC）和5G半導體設計進程。

三星一系列的先進奈米晶片和2.5D/3D-IC技術需要認證EM干擾的signoff方法。EM干擾會對複雜的多晶片封裝（multi-chip assemblies）造成負面影響，而這是傳統工具無法處理的任務。工程師需要使用高容量的EM分析工具，才能針對處理超高資訊傳輸速率的超大型SoC和2.5D/3D封裝建立正確模型。2.5D/3D-IC訊號互動難以量化，此為影響故障的關鍵要素，並限制新技術採用率。

RaptorH的高度整合分析解決方案結合Ansys HFSS高傳真高頻率電磁解決方案以及Ansys RaptorX的超高速度與可靠架構，可幫助三星設計師建立EM現象模型，並確信寄生（parasitic）效應不會對系統造成負面影響，故能提高2.5D/3D晶片封裝的時脈頻率。這將推動此全新封裝技術更快地進入主流生產，並大幅降低風險。
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