新一代MOSFET封裝技術DirectFET，具備小體積、低高度及迴路單純等特點，其中最重要的是擁有電子與散熱優勢；此種為功率元件設計的封裝新方式，在所有與尺寸相關的條件上都比傳統封裝有所改進，例如極低的寄生電感、電阻以及熱阻值。本文將介紹DirectFET的穩態熱傳效應，並說明它如何能被表現為三個熱阻數值；這些數值能為其特別的散熱環境產生一最大功率或電流額定功率。

傳統封裝的溫度傳導模式

有一種相當簡單的方式能評估「傳統封裝」的額定功率，例如 (圖一)中所示之 TO-220。
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