半導體製程微縮已近尾聲，儘管研究人員運用超薄SOI、high-k閘極電介質、雙閘CMOS、三維FinFET等各種技術，一般認為矽晶CMOS將於2020年微縮至10至7奈米，便真正面臨極限。

那麼，2020年後的半導體產業將會是甚麼樣貌？除了蓋18吋超大晶圓廠、發展3D IC技術外，還有甚麼樣的可能性？

圖一 : 我們將能透過新材料來延續矽晶技術的未來，讓這項進入人類文明不過40多年的技術像過去的石器與銅器時代一樣，能夠源遠流長。

耶魯大學電機工程教授及中央研究院院士馬佐平博士(T. P. Ma)日前在台灣舉行的Sematech年會上，介紹了研究人員試圖以碳奈米管(CNT)、石墨烯、III-V族等新材料，做為延續矽晶CMOS未來發展的可行性。而選用這三種材料，主要是因為考量它們具備更高的遷移率(mobility)特性。
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