NS以絕緣矽（SOI）BiCMOS 類比製程技術提高新一代高精密度、低功率及低電壓運算放大器的效能，這種名為VIP50的製程技術是專門針對供電電壓介於0.9～12V之間的運算放大器所設計，其優點可運用於可攜式電子產品、醫療設備、工業系統以及汽車電子系統上。而使用該製程所設計的產品，無論在電源效率、雜訊及準確度之表現都優於NS舊款IC產品與其他競爭產品。

NS放大器產品線之技術行銷經理Carlos Sanchez表示，BiCMOS為結合雙極與CMOS兩種結構的半導體元件，將電路中需要高速與高電流驅動的部份以雙極元件來製作，需要高整合度與低耗能的部份就以CMOS來製作。其優點在於能提供速度更快、雜訊更低以及功率更低等特性。雖然CMOS的製程速度較快、成本也較低，但是雜訊處理不如BiCOMS，因此BiCMOS的製程技術一般較適合電源管理設計。BiCMOS是極具實用性的技術，在使用上並不會犧牲類比電路之效能。

BiCMOS製程技術優於傳統的雙極或CMOS製程技術。雙極元件內存在高速垂直NPN及PNP電晶體。BiCMOS製程只要加入了垂直PNP電晶體，便可提供放大器更高度平衡的輸出級，以確保放大器可以充分發揮速度/功率比的特點。

雙極元件可與閘長為0.5μm的類比MOS電晶體搭配使用。0.5μm的MOS模組可調整效能以確保相互之運作順利，並且還可抑制中低頻的雜訊。在某些系統上，MOS電晶體是訊號路徑的重要組成部分，因此具備這些特色對系統來說便顯得非常重要。在加入了0.5μm的MOS模組之後，在設計上也可將更多的混合訊號技術及數位技術進行整合。

該製程電路內部的不同部分都在加設了絕緣矽（SOI）的晶圓上以溝道相互隔離，這種隔離設計主要用意在於將電路內部產生的寄生電容降至最低，因此放大器的速度/功率比可以進一步提升。而隔離設計的另一項優點就是即使訊號電壓高於正極供電電壓及負極輸入電壓，放大器晶片仍可針對相關訊號進行處理。另外，由於不會出現漏電狀況，因此即使在極高溫度之下作業，也不會降低放大器的處理效能，所以以此製程所設計的放大器晶片可將其應用範圍擴大至工業應用及車用電子系統上。

Carlos Sanchez指出，工業自動化與感應等應用領域需要更高效能的放大器，其對雜訊的要求度高，又需要省電及更小封裝的產品。NS以BiCMOS製程技術降低放大器的功耗、縮小封裝體積並提高其產品準確度，這些優點除了帶得自己產品更大競爭力之外，也讓客戶能以這些產品開發效能更高、精密度更高的系統與設備。目前NS採用高速VIP10製程製造的產品已有50餘款，而未來更將以VIP50製程技術開發更多效能更好的產品。

《圖一》