隨著3C市場的需求及技術的演進，元件的大小必須由微米走向奈米的尺度（1～100奈米），以提供速度、耗電量、整合及密度等各方面的改進，特徵尺寸（Feature Size）如過去的0.25微米、0.18微米、0.13微米將進入90奈米，開始邁入奈米電子技術的新世代。國際半導體技術藍圖（International Technology Roadmap for Semiconductors；ITRS）預測在2004年90奈米將可導入生產線量產，但各國先進廠商均積極地邁入此新製程，例如Intel、IBM、TI、Toshiba、TSMC、UMC...等，更已在2003年展開90奈米製程量產佈局，以成為下一個市場的贏家，並積極地投入90奈米以下製程之研究，以預備下一個世代的來臨。

但當特徵尺寸繼續走向65奈米、45奈米及32奈米以下製程時，製程技術將邁入更艱難的領域，其所面臨的挑戰可分為傳統奈米電子微縮技術及新型結構技術。在傳統奈米電子微縮技術方面，除了65奈米以下微影技術的發展機會未明之外，因金屬連線線寬縮小所造成的電阻/電容時間延遲（RC Time Delay），需導入低介電材料，以降低內連線系統的訊號延遲時間。在新型結構技術方面，因高度積集的電晶體數量所造成之功率消耗，亦有利用絕緣層上覆矽（Silicon on Insulator；SOI）、應變矽（Strained-Si）等技術以達到微縮及提升效能等目的。

如(圖一)所示，90奈米製程的產能從2004年每季約4500萬平方英吋（MSI/Quarter）至2008年約220 MSI/Quarter，而預測65奈米製程在2006年開始小量生產。目前邁入90奈米製程的廠商，其主要產品為MPUs、ASICs及Foundry等。
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