銅（Cu）與低介電值（Low-K dielectric）晶圓的發展背景

高速、多功能晶片需求量增加

自從1959年基爾比（Jack Kilby）與諾宜斯（Robert Noyce）兩人提出積體電路的發展基礎後，半導體各項製程技術即不斷推陳出新，而作為積體電路中內部連線材料的鋁與防止內部連線產生相互干擾、填充在連線之間的二氧化矽，由於其介電常數介於3.9與4.5之間，在內部連線的間距愈趨縮小且信號頻率持續增加的趨勢下，已無法完全滿足新世代積體電路對電氣信號傳遞的需求。因此全球各大半導體廠商除了持續投入銅製程技術開發，低介電常數材料製程也將是提高晶片電性效能另一重要關鍵技術。
...
...