突破记忆体密度瓶颈 CEA-Leti推出22奈米3D FeRAM

法国半导体研究机构CEA-Let日前於檀香山举行的VLSI会议上，发表在22奈米制程节点上，利用创新的3D电容器架构展示了铁电随机存取记忆体（FeRAM）。解决了长期限制FeRAM密度的瓶颈，使其能与挥发性记忆体竞争。

研究团队透过垂直整合氧化????（HZO）薄膜制成的铁电电容器，在相同的22奈米制程下，实现了比标准SRAM小2.5倍的记忆体晶胞，其密度堪比更先进的10奈米制程SRAM。更重要的是，与断电後资料即消失的SRAM不同，FeRAM具备非挥发性，能在无电源状态下保留数据，完美结合了非挥发性与高密度两大优点。

论文第一作者Simon Martin表示：「这种基於3D铁电电容器的FeRAM技术，实现了非挥发性记忆体阵列的高速、高密度与低电压运作。对於超低功耗边缘AI、高效能运算、航太与国防系统以及物联网平台等高效能嵌入式应用而言，这项突破是非常强力的候选技术。」
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