账号:
密码:
最新动态
 
产业快讯
CTIMES / 文章 /
解析新世代MOSFET 封装技术
以先进封装实现高整合度电源管理设计──

【作者: Alex Mihalka,Jason Chiu】2003年10月05日 星期日

浏览人次:【6406】

由于处理器及其他应用设备对电源与性能的需求均持续增加,而电源供应可用的印刷电路板面积通常与以前的设计相同,这使得电路板面积变得极为珍贵。因此电源供应设计者不断地寻找增加电流密度的新方式以与增加的输出电流齐步并进。其中一个创新的方法是采用先进的封装技术。


新型MOSFET封装技术──DirectFET

DirectFET 是一独特的全新 MOSFET 封装,其中硅芯片直接贴装在印刷电路板上。芯片构造类似通常用于目前 DC/DC 转换器内的 FET,其中源极与闸极接地是在芯片的一面上,而漏极接地是在另一面或基板上。(图一)的粉红表面是芯片的钝态层,用于隔绝湿气。两个大接头是源极接地,而小的接头是闸极接地。贴装到印刷电路板上的 DirectFET 的侧面图显示漏极硅透过导电与导热注银环氧(silver-filled epoxy)连至一个涂银的铜金属外层。铜金属外层围绕芯片的两面以连至印刷电路板,提供漏极接地至线路板。
...
...

另一名雇主 限られたニュース 文章閱讀限制 出版品優惠
一般訪客 10/ごとに 30 日間 5//ごとに 30 日間 付费下载
VIP会员 无限制 20/ごとに 30 日間 付费下载
  相关新闻
» 意法半导体新推出运算放大器 瞄准汽车和工业环境应用
» 司麦德推Ezi-IO EtherCAT AD新品 支援EtherCAT和8类比输入
» 见证IC产业前世今生 「IC积体电路特展」多元化呈现
» IEK: 台湾智慧制造生态系规模底定 加速半导体等关键产业应用扩散
» SEMICON Taiwan 2018国际半导体展暨IC60大师论坛即将登场


刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BA6HGDRQSTACUKM
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw