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Infineon汽车电源管理40V P通道 可提升能源效率

英飞凌(Infineon)昨(6)日宣布,推出采用沟槽技术制程的最新单一P通道40V汽车电源MOSFET系列产品。英飞凌表示,新型40V OptiMOS P2产品为提升能源效率、减少CO2排放及节省成本设立新的基准。


图一 : Infineon新型P通道40V MOSFET系列产品,提供50A至180A的各种标准封装方式。
图一 : Infineon新型P通道40V MOSFET系列产品,提供50A至180A的各种标准封装方式。

英飞凌新型P通道40V MOSFET系列产品,提供电流范围50A至180A的各种标准封装方式,衍生出30多款系列产品。由於P通道40V OptiMOS P2产品是用作汽车桥式应用产品的高压侧开关,因此不需要额外的电荷泵装置,可大幅节省成本并提升EMI效能。


新产品整合脉冲宽频调变(PWM)控制功能,相较於N通道MOSFET,具备更隹的散热与雪崩能量表现,因此适用於电池反接保护及汽车马达控制应用,例如电子动力转向系统(EPS)马达控制、三相与H型桥式(H-bridge) 马达(雨刷、电子式驻煞车)、HVAC风扇控制以及电动泵。
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