领先全球！工研院研发28nm铁电记忆体与记忆体内退火加速晶片

工研院在美国旧金山的2021国际电子元件研讨会(2021 IEDM)中，发表可微缩於28奈米以下的铁电式记忆体，具高微缩性与高可靠度，唯一能同时达到极低操作与待机功耗的要求，未来更可应用在人工智慧、物联网、汽车电子系统。

经济部技术处表示，半导体发展趋势走向制程微缩，低耗能，能突破既有运算限制的下世代记忆体将在未来将扮演更重要角色。为维持台湾半导体产业的国际竞争力，经济部技术处持续推动「物联网尖端半导体计画」、「AI on chip 计画」；未来也会投入量子电脑等相关领域技术的研发，支持工研院与产业深耕下世代记忆体关键技术，布局下世代运算关键领域。

工研院电子与光电系统所所长吴志毅表示，工研院在下世代记忆体技术上深耕多年，这次发表的铁电记忆体，除了能同时达到极低操作与待机功耗要求，这次更开发出可微缩於28奈米以下的关键技术，与过去只能在65nm以上制程实现的技术，领先了二个制程节点以上，晋升28nm以下先进制程等级的嵌入式记忆体产品，未来可应用智慧手机、智慧车载、AR/VR等AIoT应用。
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