意法半导体与Soitec携手开发SiC基板制造技术

意法半导体（STMicroelectronics，ST）与半导体材料设计制造公司Soitec宣布下一阶段的碳化矽（Silicon Carbide，SiC）基板合作计画，意法半导体准备於18个月内完成Soitec碳化矽基板技术产前认证测试。此次合作目标为意法半导体采用Soitec的SmartSiC技术制造未来8寸碳化矽基板，促进碳化矽元件与模组制造之业务，这项技术有??在中期实现并量产。

意法半导体汽车和离散元件部总裁 Marco Monti表示，「汽车和工业客户正在加速推动系统及产品电动化，升级至8寸SiC晶圆将为其带来巨大益处，产品产量提升对於推动规模经济非常重要。我们选择利用垂直整合的制造模式，从高品质的基板到大规模的前段制程和後段封测在整个制造链中充分利用意法多年累积的专业技术，而与Soitec技术合作目标旨在持续提升制造良率和品质。」

Soitec营运长Bernard Aspar则表示，「随着电动汽车时代的到来，汽车产业正面临巨变。领先产业的SmartSiC技术是将我们专有的SmartCut制程用於碳化矽半导体材料，能够在推动电动汽车普及化中发挥关键作用。Soitec的SmartSiC基板与意法产业领先的碳化矽技术及专长整合，必将改变汽车晶片制造的游戏规则并树立新标准。」
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