ST携手MACOM 达成射频矽基氮化??原型晶片性能新里程

意法半导体（STMicroelectronics；ST）和MACOM已成功制造出射频矽基氮化??（RF GaN-on-Si）原型晶片。意法半导体与MACOM将继续合作，并加强双方的合作关系。

射频矽基氮化??为5G和6G基础建设之应用带来巨大的发展潜力。早期世代的射频功率放大器（Power Amplifier，PA）主要采用横向扩散金属氧化物半导体（Laterally-Diffused Metal-Oxide Semiconductor，LDMOS）射频功率技术，氮化??（GaN）可为射频功率放大器带来更优异的射频特性及更高的输出功率，而且GaN可以制造在矽晶圆或碳化矽（SiC）晶圆上。然而，在高功率应用与射频矽基氮化??对SiC晶圆的竞争下，加上其非主流的半导体制程，射频矽基氮化??的成本可能更高。意法半导体和MACOM正在研发的射频矽基氮化??技术有??提供具有竞争力的性能，透过整合至标准半导体制程中以实现巨大规模的经济效益。

意法半导体制造的原型晶片和元件已成功达到成本和性能目标，能够与市面上现有的LDMOS和GaN-on-SiC技术有效竞争，并且即将进入下个重要阶段认证测试与商业化，此为，意法半导体计画将於2022年达成此一里程碑。因取得这次傲人的进展，意法半导体与MACOM已开始讨论进一步扩大研发，加速先进射频矽基氮化??产品上市。
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