IR推出革命性GaN功率元件技术平台

国际整流器公司 (IR) 宣布成功开发革命性氮化?? (GaN) 功率元件技术平台，能为客户改进主要特定应用的优值 (FOM) ，使其较先进矽技术平台提升最多十分之一 ，让客户在适用於运算及通讯、汽车和家电等不同市场的终端应用能够显着提升效能，并减少能源消耗。这款GaN功率元件技术平台，是IR经过5年的时间，基於其专有矽上GaN磊晶技术进行开发研究的成果。

IR的GaN功率元件技术平台为功率转换解决方案带来革命性的改进。这项研究因有效引进IR 60年来在不同应用，包括AC-DC功率转换、DC-DC功率转换、马达驱动、照明、高密度音效与汽车系统等功率转换方面的专业知识，使系统方案产品阵营和相关的智慧财产 (IP) 远超出先进的分立功率元件。

这款高吞吐量的150mm矽上GaN磊晶和相关的元件制造程序，能全面与IR具备成本效益的矽制造设施配合，为客户提供世界级的商业可行性GaN功率元件制造平台。
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