TI：扩大低功率GaN产品组合 实现AC/DC电源供应器体积缩小50%

德州仪器（TI）扩大其低功率氮化?? (GaN) 产品组合，旨在协助提升功率密度、最大化系统效率，以及缩小 AC/DC 电源供应消费电子和工业系统的尺寸。TI 具备整合式闸极驱动器的 GaN 场效应电晶体 (FET) 整体产品组合，可解决常见的散热设计挑战，让供应器维持低温，同时以更小的体积推动更大功率。

图一 : TI 的低功率 GaN 产品组合，可将一般 67W AC/DC 笔记型电脑供应器的尺寸缩减多达 50%

具备整合式闸极驱动器的全新 GaN FET 产品组合，包括 LMG3622、LMG3624 和 LMG3626 等，均可提供业界最准确的整合式电流感测功能。此功能可排除对外部分流电阻器的需求，且相较於搭配离散式 GaN 和矽晶 FET 使用的传统电流感测电路，此功能可降低高达 94% 的相关功耗，进而协助设计人员达到最高效率。

实现最高能源效率并简化散热设计

TI 具备整合式闸极驱动器的 GaN FET 可加快切换速度，有助於防止转接器过热。针对小於 75W 的 AC/DC 应用，设计人员可达到 94% 的系统效率，而针对大於 75W 的 AC/DC 应用，设计人员则可达到 95% 以上的系统效率。新产品可协助设计人员缩减一般 67W 电源供应器的解决方案尺寸，相较於矽基解决方案，其尺寸可缩减高达 50%。

此产品组合亦针对 AC/DC 电源转换中最常见的拓扑结构最隹化，例如准谐振反驰、非对称半桥反驰、电感对电感转换器、图腾柱功率因数校正与主动钳位式反驰等。

对GaN 制造的长期投资

TI 全球自有、区域多元的内部制造营运方式已行之有年，其中包含晶圆厂、组装与测试工厂，以及遍布全球 15 个据点的多个凸块与探针设施。TI 投资制造 GaN 技术已超过 10 年。

TI 规划至 2030 年，将拥有 90% 自有封装及测试产能，因此未来数十年皆可为客户提供可靠的产能。