ARM首款基於台积公司10奈米FinFET多核心测试晶片问世

ARM宣布首款采用台积公司 10奈米FinFET制程技术的多核心 64位元 ARM v8-A 处理器测试晶片问世。模拟基准测试结果显示，相较於目前多用於多款顶尖高阶手机运算晶片的16奈米FinFET+ 制程技术，此测试晶片展现更隹运算能力与功耗表现。

图一 : 新款测试晶片已成功获得验证，2015 年第 4 季已完成设计定案。

此款测试晶片已成功获得验证（2015 年第 4 季已完成设计定案），为 ARM 与台积公司持续成功合作的重要里程碑。此一验证完备的设计方案包含了EDA工具、设计流程及方法，能够使新客户采用台积公司最先进的10奈米 FinFET 制程完成设计定案。此外，亦可供 SoC 设计人员利用基础 IP (标准元件库、嵌入式记忆体及标准 I/O) 开发最具竞争力的 SoC，以达到最高效能、最低功耗及最小面积的目标。

ARM 执行??总裁暨产品事业群总经理 Pete Hutton 表示：「高阶行动应用 SoC 设计的最高指导原则就是低功耗，因为现今市场对装置效能的需求日益高涨
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