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携手格芯 Microchip开始量产28奈米SuperFlash嵌入式快闪记忆体

GlobalFoundries、Microchip及其旗下子公司冠捷半导体(SST)今(28)日宣布,采用GF 28SLPe制程的SST ESF3第三代嵌入式SuperFlash技术NVM解决方案即将投产。


图一 : 采用GlobalFoundries 28SLPe 制程的SST ESF3第三代嵌入式SuperFlash技术NVM 解决方案即将投产。
图一 : 采用GlobalFoundries 28SLPe 制程的SST ESF3第三代嵌入式SuperFlash技术NVM 解决方案即将投产。

随着边缘智慧化水准的不断提高,嵌入式快闪记忆体的应用也呈爆炸式增长。在家庭和工业物联网以及智慧行动设备的广泛应用,用於安全程式码储存、OTA更新和增强功能的嵌入式记忆体正呈上升趋势。满足这些需求需要创新的平台。


在实施冠捷半导体应用广泛的ESF3 SuperFlash技术方面,GlobalFoundries确立新的行业基准。GlobalFoundries业务长Mike Hogan表示:「GlobalFoundries与冠捷半导体合作,在28SLPe平台上开发、认证并投产这款令人印象深刻的嵌入式NVM解决方案。GlobalFoundries的客户发现,这款解决方案集高效能、出色的可靠性、IP可用性和成本效益於一身,非常适合先进的MCU、复杂的智慧卡及面向消费和工业产品的物联网晶片。」
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