CTIMES- MIT成功以单晶片钻石薄膜大幅提升GaN晶体管散热效能 :

随着6G通讯技术与卫星通讯硬体向更高频段、高功率方向演进，次世代半导体元件的热管理正逼近物理极限。麻省理工学院（MIT）研究团队日前发表一项技术突破，成功在氮化??（GaN）高功率晶体管顶部，成功生长出超薄的「单晶钻石」薄膜层。这项创新的晶圆级热传导架构，预计将为次世代晶片带来极致的散热效能与能源效率。

传统上，氮化??虽然具备处理极致速度与高电压的能力，但运作时产生的局部高热会严重排挤其寿命与推论稳定度；而钻石则是已知自然界中导热率最高的材料。MIT团队透过优化化学气相沉积（CVD）制程，大幅降低了单晶钻石晶圆的制造成本，使其直接整合至传统矽基或氮化??晶片架构变得更具商用可行性。

而实测数据显示，此技术能以微秒级的效率将电晶体核心的热能主动发散，彻底瓦解了高频高压电子元件因过热降频的缺陷。
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