NS以绝缘矽（SOI）BiCMOS 类比制程技术提高新一代高精密度、低功率及低电压运算放大器的效能，这种名为VIP50的制程技术是专门针对供电电压介于0.9～12V之间的运算放大器所设计，其优点可运用于可携式电子产品、医疗设备、工业系统以及汽车电子系统上。而使用该制程所设计的产品，无论在电源效率、杂讯及准确度之表现都优于NS旧款IC产品与其他竞争产品。

NS放大器产品线之技术行销经理Carlos Sanchez表示，BiCMOS为结合双极与CMOS两种结构的半导体元件，将电路中需要高速与高电流驱动的部份以双极元件来制作，需要高整合度与低耗能的部份就以CMOS来制作。其优点在于能提供速度更快、杂讯更低以及功率更低等特性。虽然CMOS的制程速度较快、成本也较低，但是杂讯处理不如BiCOMS，因此BiCMOS的制程技术一般较适合电源管理设计。 BiCMOS是极具实用性的技术，在使用上并不会牺牲类比电路之效能。

BiCMOS制程技术优于传统的双极或CMOS制程技术。双极元件内存在高速垂直NPN及PNP电晶体。 BiCMOS制程只要加入了垂直PNP电晶体，便可提供放大器更高度平衡的输出级，以确保放大器可以充分发挥速度/功率比的特点。
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