随着电子产品特性的转变,半导体封装技术也需顺应潮流以提升性能表现,特别是在电性、封装尺寸、成本、可靠度部份。以高阶处理器为例,其逻辑组件就须具备性能稳定及无输出噪声之特性。而受到封装体寄生参数效应的关系,高频率讯号会因而产生噪声,所以须藉由改良封装体结构以满足此类产品需求。
覆晶是目前高阶产品所选择的其中一种封装体。它最主要的优点在于提供芯片至外部线路最短的路径,因此,覆晶封装通常能达到良好电性表现。此外,覆晶所需的接合面积小,封后外观体积也较轻巧。
不过,覆晶在成本及技术上也面临诸多限制;举例而言,在芯片制造步骤部分就多出一项于芯片长凸块的费用。另外,为了减轻凸块与基板(substrate)接合时所产生的应力,在芯片及基板间通常也必须因灌入底部填胶(underfill)而增加黏着材料的使用。再者,凸块材料本身含有锡铅合金,也不符合目前环保趋势对无铅化产品的要求。
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