功率半導體元件與電源、電力控制應用有關,特點是功率大、速度快,有助提高能源轉換效率,多年來,功率半導體以矽(Si)為基礎的晶片設計架構成為主流,碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等第三類半導體材料出現,讓功率半導體元件的應用更為多元,效率更高。
MOSFET與IGBT雙主流各有痛點
高功率元件應用研發聯盟秘書長林若蓁博士(現職為台灣經濟研究院研究一所副所長)指出,功率半導體元件是電源及電力控制應用的核心,具有降低導通電阻、提升電力轉換效率等功用,其中又以MOSFET(金屬氧化半導體場效電晶體)與IGBT(絕緣閘雙極電晶體)的應用範圍最為重要,兩者各有優勢及不足。
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