要將自旋軌道力矩磁阻式隨機存取記憶體（SOT-MRAM）用來作為底層快取（LLC），目前面臨了三項挑戰；微縮性、動態功耗，以及可供量產且尺寸緊湊的零磁場磁矩翻轉技術。比利時微電子研究中心（imec）在2022年IEEE國際電子會議（IEDM）上提出一套創新的SOT-MRAM架構，能夠一次解決這些挑戰。

近年來，SOT-MRAM技術的開發熱度在半導體業攀升。SOT-MRAM是一種非揮發性記憶體，具備優良性能，適合用來當作嵌入式記憶體，例如高效能運算與行動裝置的三級（L3）與四級以上快取記憶體。目前的快取記憶體通常採用具備極速讀寫能力的揮發性SRAM元件。

然而，由於微縮限制，SRAM難以持續擴充位元密度，使得開發人員不得不尋求替代元件。此外，在非運作狀態下，SRAM儲存單元的散熱問題越來越嚴重，導致待機功耗增加。MRAM等非揮發性記憶體不僅有望縮小儲存單元的尺寸，利用其非揮發性，還能解決待機功耗的問題。
...
...