第三代半導體是指相對於第一代和第二代而言的新一代半導體技術。第一代半導體泛指的是以矽為主要材料的半導體晶片,第二代半導體則是以三五族化合物為主要材料,包括砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等。第三代半導體則以碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表,其主要特色包括材料的變革、能源效率的提升、高頻率操作、高溫操作、高功率密度、高電流密度等。
圖一 : 第三代半導體具有更高的電子遷移率、更好的熱導性、較寬的能隙等特性,使得它們在特定應用中有著顯著的優勢。(source:Intel) |
|
第三代半導體特性
第三代半導體的代表性材料包括碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)。這些材料相較於傳統的矽材料,具有更高的電子遷移率、更好的熱導性、較寬的能隙等特性,使得它們在特定應用中有著顯著的優勢。以下是第三代半導體的主要應用領域:
...
...
使用者別 |
新聞閱讀限制 |
文章閱讀限制 |
出版品優惠 |
一般訪客 |
10則/每30天 |
5/則/每30天 |
付費下載 |
VIP會員 |
無限制 |
20則/每30天 |
付費下載 |