帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES / 文章 /
賦能未來,勇往直前:SiC MOSFET問世10周年的思索
 

【作者: John Palmour】   2021年04月20日 星期二

瀏覽人次:【23091】

在SiC MOSFET問世10周年之際,本文作者回顧科銳公司十年歷史所經歷的關鍵時刻,並且認為未來的發展會比過去曾經歷的增長還要巨大,因此為下一步即將增長的產業曲線提出卓見。



圖一 : 科銳聯合創始人兼首席技術官John Palmour 博士
圖一 : 科銳聯合創始人兼首席技術官John Palmour 博士

處於像我這樣的位置,能夠有幸參與到一個改變行業的重要產品的問世,感覺就是一生一遇的機會。所以通過回顧我們公司歷史十年前的關鍵時刻,發現我所能看到的,對於今天Wolfspeed將邁向何方,也會顯得特別地有意義。


在2011年,在經過了將近二十年的研發之後,科銳推出了全球首款SiC MOSFET。儘管業界先前曾十分懷疑這是否可能實現。在成功發佈之前,普遍的觀點是SiC功率電晶體是不可能實現的,因為太多的材料缺陷使其不可行。先前普遍的看法是不可能開發出可用的SiC MOSFET,因為SiC的氧化物絕緣體是不可靠的。我們的友商試圖嘗試用JFET和BJT等其他器件來繞開這個問題,而我們則始終堅持自己的信仰。因為我們知道MOSFET才是客戶最終想要的。我們堅信,我們可以通過採用SiC,開發出市面上最為強大和可靠的半導體。
...
...

使用者別 新聞閱讀限制 文章閱讀限制 出版品優惠
一般訪客 10則/每30天 5/則/每30天 付費下載
VIP會員 無限制 20則/每30天 付費下載
相關文章
高密度電源模組可實現減少重量和功耗的 48V系統
隔離式封裝的優勢
利用物聯網發揮智慧電網優勢
適合工業應用穩固的 SPI/I2C 通訊
以碳化矽MOSFET實現閘極驅動器及運作
comments powered by Disqus
相關討論
  相關新聞
» 艾邁斯歐司朗全新UV-C LED提升UV-C消毒效率
» ASM攜手清大設計半導體製程模擬實驗 亮相國科會「科普環島列車」
» TIE未來科技館閉幕 揭曉兩項競賽獎得主
» 諾貝爾物理獎得主登場量子論壇 揭幕TIE未來科技館匯聚國內外前瞻科技
» 國科會主辦量子科技國際研討會 鏈結國際產學研能量


刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BP62LSXKSTACUKM
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw