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創新FDSOI能帶調製元件雙接地層Z2FET
 

【作者: H.El Dirani 等人】   2018年02月02日 星期五

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今天,全耗盡型絕緣層上矽(FDSOI)CMOS技術因超高開關速度、超低功耗(ULP)和適中的成本而引起業界廣泛的關注。在這種情況下,物聯網(IoT)和射頻用超薄體矽BOX層(UTBB)元件預計達數十億個。這項先進技術有很多特點。超薄元件將會受益於可調閾壓值、低洩漏電流和優化的寄生電容、遷移率和亞壓值斜率(SS)[1-3]。


現在重點介紹能帶調製元件(FED [4–6]、Z2-FET [7–10]和Z3-FET [11, 12]),應用廣泛,可用於研製ESD [13–16]防護組件、記憶體[5, 17–19]和快速邏輯元件。[4].參考文獻[8]提出的標準Z2-FET具有快速開關、低洩漏電流和可調觸發電壓。通過比較發現,無前柵的 Z3-FET [ref]的觸發電壓 Vt1 更高,同時雙接地區域使其能夠承受高電壓。標準 Z2-FET的升級版因市場對更高的Vt1 電壓和超低功耗的需求而產生,採用先進的FDSOI技術,在前柵下面增加一個N型接地區域, 稱之為 Z2-FET DGP。
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