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CMP後清潔科技 迎向10奈米以下挑戰
高階節點適用的CMP後清潔溶液PlanarClean AG

【作者: Cuong Tran】   2016年10月28日 星期五

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隨著積體電路日益縮小,對污染的忍受度也越來越低,CMP 後清潔作業成為製程中更加關鍵的步驟。必須進行這道清潔步驟,才能製備後續步驟所需的晶圓,若清潔效果理想,也有助於提高裝置的最終產量。所面臨的挑戰在於,在這道步驟中要移除的污染物相當多,但用於移除的化學品必須具備相當的選擇性特性,且不會損害先前已安置妥當的表面材料與結構。從 10 奈米開始,高階節點中已引進了許多新材料,因此我們必須重新配製原有的 PlanarClean化學品,使其相容於這些新材料 (並不會損害這些材料)。最根本的關鍵在於,高階節點的容錯空間已越來越小。


這款新 PlanarClean AG 是 PlanarCleanpCMP 清潔溶液產品系列的「先進世代」配方,也就是說,這不僅是舊款化學品的全新版本,還經過特別設計,可為講究清除所有污染物的高階節點,提供新的清潔機制。因此,應將其視為全新的清潔平台。透過調製,不會損壞、蝕刻或移除高階節點的新材料,例如鈷和鎢。從前我們無法真側到晶圓表面上的某些 (極小型) 污染物,但現在已可偵測到,還必須加以清除。


三大功能
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