今年二月對台灣的DRAM產業來說，很不尋常。先是月初，早已是巨額債務纏身的茂德，終於正式宣佈將破產下市；之後，有台塑集團富爸爸撐腰的華亞也不敵虧損壓力，表示將辦理私募，引入美光資金成為最大股東。到月底，一直以來被台灣視為「聯日抗韓」要角的爾必達無預警宣告破產，這個強力震撼彈更是讓台灣沉痾已久的DRAM產業問題，一下子全部搬上了檯面。

台灣DRAM產業最大的弔詭之處在於，它是一個沒有科技的高科技產業，缺乏自主技術的體質，如同預知死亡紀事一般，早就注定了它走向衰敗的命運。

除了完全仰賴國外技術授權外，製程技術落後、PC市場成長動力不再、缺乏多樣化的記憶體技術組合、三星長期性的競爭策略等各種因素，都是造成台灣DRAM產業一蹶不振的原因。

根據DRAMeXchange的資料，台灣DRAM業者在2006年第四季時，總計市佔率還有17.8％，才不過五年的光景，去年第四季就已經下滑到只剩6.1％。反之三星，則是從24.9％躍升到44.3％。我消彼長，被打得潰不成軍。

據統計，國內南科、華亞、瑞晶、力晶、茂德五家業者從2001年到2010年共投資了九千多億台幣，但帳面的長期債務卻已累積到一千五百多億台幣。業者擁有這麼龐大的資源，但只是用在量的擴充，未用在質的提升。

台灣DRAM業者賺的錢用在研發投資的比例遠低於競爭對手，卻願意花大筆的技術授權金。當初大手筆蓋12吋廠的風光，現在卻是債多不愁，嚷著政府不能讓台灣沒有DRAM產業。

台灣DRAM產業已到謝幕時刻

另一方面，以產品組合來說，台灣DRAM業者只能生產標準型DRAM，相較於其他業者的多樣化技術組合就已經是一大敗因。DRAM是一個週期性需求起伏大、技術進步快速、成本快速下滑、固定投資大的產業。不能持續投資在製程技術上領先，景氣好時賺的錢，到需求疲弱的時候，就得全部吐回去。

因此，若沒有NAND Flash、Mobile DRAM等其他記憶體產品來補貼或調節DRAM的週期性需求，就永遠只能處於挨打的地位。更別提，近年來行動裝置興起，PC需求不振對標準型DRAM市場的衝擊了。

以三星為例，它能橫霸DRAM市場，就是因為積極投入研發，製程技術大幅領先，擁有絕佳的成本優勢；再加上，它的產品線組合完整，能夠相互支援，使其獲利能力長期優於台灣業者，也因此能夠在長期競爭中立於不敗之地。

爾必達宣告進入破產保護後，也預告了台灣DRAM產業即將劃下句點。五家DRAM廠商中，茂德已經下市，力晶、南亞將轉型晶圓代工，美光已成為華亞大股東，剩下瑞晶，這個爾必達持股佔65％的公司，未來也極可能因為母公司處分海外資產而被賣掉。

根據日前日本媒體的報導，爾必達將採用競標方式來決定未來的合作企業，東芝、美光、GlobalFoundries都是被點名的熱門人選。不管是哪家業者得標，未來瑞晶必將納入旗下，台灣DRAM產業二十多年的黃粱夢，也將夢醒。

台灣退出DRAM市場版圖，真會對國內PC產業造成影響嗎？對一個市佔率已經只剩下6％的產業來說，還要強調它對國內產業的重要性，實在是一大諷刺。由於特殊的產業特性，標準型DRAM必定會歷經激烈整併後，走向幾家大廠寡佔的局面，每家業者才能有各自的生存空間。

未來，DRAM產業應該是三星、海力士、美光三強鼎立的態勢。在市場機制運作下，三星不可能，也無法故意阻礙台灣電腦業者的訂單。以這種訴求，要求政府紓困，救DRAM產業的理由，也已經再也無法讓人信服。

台灣還有機會嗎？

少了標準型DRAM這一塊，台灣的記憶體產業還會有未來嗎？我們願意樂觀地相信，機會還是有的。

隨著製程微縮面臨極限，3D IC是近年來半導體產業的一個重要議題。除了同質晶粒的堆疊外，在行動裝置需求推動下，將邏輯晶片與記憶體堆疊在一起的異質3D IC技術，更是多家半導體大廠的主要研發方向。

以台積電為例，董事長張忠謀去年首度公開新的商業模式─COWOS（chip on wafer on substrate），就是運用矽中介層（interposer）技術，進入2.5D或3D IC領域，不過當時張忠謀並不願意揭露台積電的記憶體合作夥伴。

此外，英特爾也宣佈與工研院合作，將共同研發以3D IC為基礎的新世代記憶體技術。雖然英特爾曾經在WiMax佈局上，讓台灣產業吃了一大悶虧，但我們還是相信，此次的合作，會對台灣的記憶體技術帶來一些助益。

同時，在NAND Flash方面，雖然一直以來台灣廠商都在這個領域缺席，未能搭上商機榮景，但是NAND Flash製程較DRAM更為先進，已走到20奈米以下，未來再往下微縮，難度將越來越高。採用既有架構是否能進入10奈米以下，技術上仍是未知數，這或許能為台灣業者帶來追趕的機會。

舉例來說，旺宏已於今年二月推出低容量SLC NAND Flash產品，雖然離主流應用還有一段距離，但總算是邁出了一小步。旺宏的策略是希望透過其BE-SONOS技術，再搭配三維垂直閘極（3D VG），開發出大容量的3D NAND Flash解決方案。

3D IC還在初期發展階段，還有很多的成長機會，也必定是未來的技術發展趨勢。即使我們曾經在DRAM產業技術落後，但站在現在新的起跑點上，業者必須捨棄過去靠經濟規模賺錢的思維，若能眼光放遠，真正投入自主技術的建立，或許未來仍是有可為的。

圖一