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全CMOS制程为射频电路必然趋势
专访Silicon Labs副总裁Ed Healy

【作者: 歐敏銓】2002年05月05日 星期日

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《照片人物 Silicon Labs副总裁Ed Healy》
《照片人物 Silicon Labs副总裁Ed Healy》

电子元件持续走向高密度、高整合性的设计趋势,以减少元件数及晶片、面板体积,但仍能获致更佳的效能,并降低成本。在终端通讯设备的市场,尤其是手机的设计上,轻薄短小更是一直以来致力达成的目标,但若打开手机的外壳,其电路板上仍有七、八十个元件,复杂度可以想见。


目前射频(RF)电路正朝向模组化(SiP)及单晶片化(SoC)两大路线发展,业者相信不久后的电路板上,将只会见到不足十个的整合晶片。但由于不同功能的射频元件有不同的适合制程技术,例如PA多采GaAs HBT制程,Switch多采pHEMT,其他元件则有BiCMOS或SiGe等,不一而足,整合的路仍充满挑战。


因此能在射频市场上竞逐的厂商,皆有其技术上的独到之处。 1996年成立于德州奥斯丁市的Silicon Labs公司,即以全CMOS制程来开发Mixed-signal IC,且在技术上不断有所突破而备受注目,至今已申请到超过125项专利。
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