安森美(onsemi) 最新发布第 7 代 1200V QDual3 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 功率模组，与其他同类产品相比，该模组的功率密度更高，且提供高10%的输出功率。这800 安培 (A) QDual3 模组基於新的场截止第 7 代 (FS7) IGBT 技术，带来出色的效能表现，有助於降低系统成本并简化设计。在用於 150 千瓦的逆变器中时，QDual3 模组的损耗比同类竞品少 200 瓦（W），从而大大缩减散热器的尺寸。

图一 : 安森美第7代IGBT模组协助再生能源简化设计并降低成本

QDual3模组专为在恶劣条件下工作而设计，非常适合用於大功率变流器如太阳能发电站中央逆变器、储能系统 (ESS)、商用农业车辆（CAV）和工业电机驱动器。目前，根据不同的应用需求，有两种产品可供选择NXH800H120L7QDSG 和SNXH800H120L7QDSG。