Nexperia对於其齐纳二极体（Zener Diode）产品组合进行优化，以消除不良的过冲和杂讯行为，突破现今的齐纳二极体技术。新型50 μA齐纳系列二极体推出B-selection (V_z+/-2%)，V_z范围从1.8 V到51 V，提供标准版和汽车版。适合於汽车应用，例如电动汽车（EV）的车载充电器，以及广泛的工业和消费应用，例如通用运算单元、电池管理系统、设备充电器和智慧手表。

图一 : Nexperia新型50 μA齐纳系列二极体为汽车和非汽车应用提供灵活性封装

Nexperia的全新50 μA元件系列目前即使在高电压（高达75 V）下也能提供完整的齐纳功能。它们的设计旨在完全消除杂讯和过摆冲现象，这是过去许多齐纳二极体导致应用故障的共同特徵。这些元件采用小尺寸封装，包括SOT23、SOD323、SOD523和SOD123F以及带或不带侧边可湿焊盘(SWF)的DFN1006BD-2和DFN1006-2。附带SWF具有对焊点品质进行高度可靠的自动光学检测(AOI)以及增强焊点坚固性的优势，可增强与PCB的结合。

此外，Nexperia解决了其现有通用PZU齐纳二极体系列中的过冲和噪音问题。这将为工程师提供更大的灵活性，用於电源电压稳定、感测器或电源电压比较等应用，以及为MOSFET提供栅极和雪崩击穿保护。