在高速成长的非挥发性内存（NVM）市场的推动下，十年来，世界上出现了几项具有突破性的内存技术，将业界旧有标准淘汰出局，并扩大了闪存技术的应用领域[1]。目前一般业界认同任何一项技术如果取得成功，就会在未来十年内变为产品。业界现阶段也针对两大类全新的非挥发性内存进行了实际应用的研究，其中一类是基于无机材料的内存技术，如铁电内存(FeRAM)、磁阻内存(MRAM)或相变化内存(PCM)，另一类内存技术则基于有机材料，铁电或导电开关聚合物。值得注意的是，眼看这个十年就要结束，在这些接替闪存的非挥发性内存当中，只有相变化内存具备进入广阔市场的能力表现，被视为下一个十年的主流内存技术。