由于半导体元件制程技术的快速发展,使得各项电子系统趋向于高密度整合发展。尤其在通讯技术上,一般大哥大手机已由以往如1250ml可口可乐般大的体积缩小到如手掌大小,在这样的系统上以往所使用的皮膜电阻、电容已销声匿迹,其原因在于这样的元件体积太大,同时由于高频系统皮膜电阻、电容存在的杂散元件效应已太大,而使得应用有其困难。
SMD(Surface Mounted Devices)形态的元件因为体积及杂散效应小,于近几年供不应求。
高密度电子系统中因为各项元件趋向于微小化,在电压过载的情况下系统将会出错甚至于有永久损毁的可能。在IC(积体电路)设计技术中有相当多的技巧来减低这项问题的可能性,但却难以达到相当高的可靠程度。一般来说这些技术利用半导体元件因高压而工作于崩溃区,并将电流导向整个系统的地点,纵使元件可以承受这样高的电压,高电流于高密度IC中的传导必将造定成一些问题。于设计上使用的I/O Pad面积以及Pad与内部线路的距离将会决定IC的保护程度,越高程度的保护,IC所使用的面积也相较的变大(以现在高密度整合的过程,一些考量必定会疏忽)。多层膜陶瓷SMD型态瞬时电压过载保护元件,将是高密度电子系统一项高信赖度过载保护的选择。
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