账号:
密码:
最新动态
 
产业快讯
CTIMES / 文章 /
沟槽构造SiC-MOSFET可大幅降低导通电阻
协助工业设备等大功率设备的小型化与低功耗化

【作者: ROHM】2015年08月14日 星期五

浏览人次:【18772】


ROHM近日研发出采用沟槽结构的SiC-MOSFET,并已建立完备的量产体制。与量产中的平面型SiC-MOSFET相比,同一晶片尺寸的导通电阻可降低50%,这将大幅降低太阳能发电用功率调节器和工业设备用电源、工业用变流器等所有相关设备的功率损耗。此次研发的SiC-MOSFET计画将推出功率模组及离散式封装产品,目前已建立完备的功率模组产品的量产体制。


产品背景
...
...

另一名雇主 限られたニュース 文章閱讀限制 出版品優惠
一般訪客 10/ごとに 30 日間 5//ごとに 30 日間 付费下载
VIP会员 无限制 20/ごとに 30 日間 付费下载
相关文章
热泵背後的技术:智慧功率模组
以模型为基础的设计方式改善IC开发效率
赋能未来,勇往直前:SiC MOSFET问世10周年的思索
零交叉侦测 IC可大幅降低生活家电待机功耗
蓝绿色LED有助提升多元色觉者之色彩辨识性
comments powered by Disqus
相关讨论
  相关新闻
» ROHM叁展2024慕尼黑电子展以E-Mobility、车用和工控为展示主轴
» ROHM的EcoSiC导入COSEL的3.5Kw输出AC-DC电源产品
» DENSO和ROHM针对半导体领域建立战略合作达成协议
» 严苛环境首选 - 强固型MPT-7100V车载电脑
» 芯动半导体与ROHM签署车载功率模组战略合作 推动xEV技术创新


刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8B8CBZ5BQSTACUKU
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw