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产业快讯
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DRAM市场:固守霸主地位 强化攻略DDR2市场
2003年Samsung半导体的出口规模约达100亿美元,2004年在全球IT景气复苏的带动下,预期出口规模将可创下历年新高记录。在DRAM市场方面,2003年Samsung仍称霸全球,全球市占率达28.1%,不过却呈现2.3%的负成长,如(表三),此乃因2003年10月以来,DRAM价格因市场需求未见增温而下跌,而NAND型Flash则因缺货价格飙涨,在制程可以互换的情形下,Samsung陆续转拨产能投入NAND型Flash市场,而此一动作也削减了DRAM产能,2003年Samsung的DRAM位元成长率即仅达30%。
Rank | Vendor | 2003 revenue | 2003 market share | Y/Y % |
1 | Samsung | 4,871 | 28.10% | -2.30% |
2 | Micron | 3,255 | 18.80% | 16.60% |
3 | Infineon | 2,938 | 17.00% | 49.40% |
4 | Hynix | 2,508 | 14.50% | 27.80% |
5 | Elpida | 826 | 4.80% | 34.30% |
6 | Mosel | 803 | 4.60% | 165.90% |
7 | Nanya | 792 | 4.60% | -6.20% |
8 | Powerchip | 467 | 2.70% | 79.60% |
9 | Winbond | 354 | 2.00% | -25.80% |
10 | Oki | 96 | 0.60% | -19.30% |
others | 412 | 2.40% | -63.90% | |
total | 17,222 | 100.00% | 12.00% |
展望2004年,Samsung计划在DRAM市场固守霸主地位,以优势的技术力为基础,及早开发新一代记忆体半导体,并导入量产。此外,基于既有DDR产品中,高附加价值产品--「DDR400」占整体DRAM中的比重已在去年底超过80%,而目前DDR333与DDR400的溢价降低到10%左右,显示DDR400产品已成市场主力,Samsung认为DDR产品的第一阶段升级已告一段落。基此,Samsung除将以之为主力产品外,并将逐步强化对DDR2市场的攻掠。
Samsung自2003年3月开始投产DDR2 512M与1G模组产品,基于预期Intel将在2004年第一季推出支援DDR2的晶片组,有助于DDR2 DRAM市场的成形,Samsung计划自2004年开始扩大DDR2 512M与1G模组产品的生产规模。在2003年初时,Samsung的DRAM产量中,仍以DDR266与DDR333为主,DDR400占有的比重还不到50%。然在2003年第三季时,为加速主力产品的转换,Samsung将DDR400的溢价由第二季的30%左右降低到15%左右,又在第四季降低到10%的水准。尽管2003年DDR2在整体DRAM中占有的比重极微,然基于策略性考量,Samsung将在2004年大幅扩增DDR2的生产比重,以借此将产品加速转换到高附加价值产品。
Flash争霸战:2006年称霸全球Flash市场
Samsung除持续称霸DRAM、SRAM市场外,近来在Flash产品方面亦锐意精进,销售成绩大幅上扬,2003年其成长率大约是整体市场的两倍之多,由于NAND型Flash的平均售价较高,因此Samsung也将部份DRAM产能移转给NAND型Flash,而其与Intel之间的差距也日益缩短。根据iSuppli公布的统计数据,2003年第三季Samsung在Flash领域的销售额达6.15亿美元,并以20%的市占率居首,首度超越Intel。iSuppli并预估NAND型Flash市场规模将由2003年的38亿美元,快速扩大到2005年的65亿美元(年增72.2%),而Samsung则可望在2006年,全面超越Intel称霸全球Flash市场。
Intel与Samsung主打的Flash晶片规格并不相同,Intel主推NOR型Flash,Samsung则是NAND型Flash;NOR型与NAND型Flash两者间的差别如(表四)所示。目前NOR型Flash市场由Intel和AMD主导,NAND型 Flash则由Samsung和Toshiba合计占有80%的市场,其中Samsung的全球市占率更高达65%以上。
特性项目 | NOR型 | NAND型 |
储存资料格式 | 程式码(Code) | 资料(Data) |
适用资料存取方式 | Random access | Serial access |
读取速度 | ~85 ns | ~25 ms(random access) |
抹除/写入时间 | 较慢 | 较快 |
单位面积密度 | 较低 | 较高 |
每次抹除区块 | 较大 | 较小 |
密度范围 | 较广 | 较窄 |
单位位元均价 | 较高 | 较低 |
写入寿命 | 约10万次 | 约100万次 |
主要应用产品 | PC、手机、STB、DVD player、游戏卡匣、MODEM、GPS、Router... | MP3、数位相机、PDA、Printer、答录机、传真机、数位摄影机...等。 |
由于NAND型Flash写入资料速度较快,且储存相同资料的价格只有NOR型Flash的1/3,因此近来普遍受到数位相机业者爱用,以纪录影像资料。而NAND型Flash市场的快速成长,也带动Samsung销售成长。虽然Intel对NOR型Flash市场仍抱持相当乐观的态度,并认为未来NOR型Flash仍将是手机内建晶片的主流。但目前有越来越多的手机业者将NAND型Flash内建于其高档的手机产品,并且研发外加的储存媒体,甚至有厂商尝试将NOR型Flash的功能整合到NAND型Flash,随着NAND型Flash逐步侵入NOR型Flash的固有应用市场,其长期的利基不免令人忧心。
而Samsung除了在NAND型Flash市场大有斩获外,甚至还提供客户NOR型Flash,以达到挖对手墙角来扩张市占率的目的,其中包括Intel的大客户Nokia也在拢络的范围,此举对Intel而言更如芒刺在背。尽管目前NOR型Flash市场规模仍大于NAND型Flash,然由于需求大容量数据储存的数位、Mobile产品市场快速扩大,将带动NAND型Flash的需求激增,预期到2006年时,NAND型产品在整体Flash市场中占有的比重,将由2004年的34.1%提高到54.1%,并超越NOR型产品;NOR型产品占有的比重则将由2004年的65.9%降低到45.9%。
虽然Micron与Hynix等业者因NAND型Flash的需求大幅增加,而拟加入此一市场竞逐,但预期上述公司要在此一领域步入正轨尚需费时一两年。届时Flash价格将下滑,要赶上生产效能居于领先的Samsung将极困难,而且Samsung与Toshiba仍掌握核心制程技术,因此,短时间内后进者对市场及价格应不会有太大影响,加上后进者初期也仅能在低容量部份着墨,届时Samsung与Toshiba早已继续升级至量产更高容量领域的产品,因此其霸主地位不易憾动,预估该市场未来3~5年仍将由Samsung与Toshiba所寡占。
积极开发大容量NAND型Flash产品抢攻行动装置市场
Samsung已于2003年9月率先开发出采用70奈米制程的4Giga NAND型Flash,并在2003年12月率先推出记忆体产品中容量最大的8Giga NAND型Flash,将以此主攻需求大容量记忆体的数位相机、手机、USB随身碟、PDA与MP3播放机等Mobile产品市场。 Samsung此次推出的8G产品,系采用其自行开发的4段积层封装技术,将4颗同样大小的2 G NAND Flash积层于单一封装(厚度1.2㎜)。同时,使用于8G NAND Flash的2G NAND Flash系采用SLC(Single Level Cell)技术,而非大部分业者采用的MLC(Multi Level Cell),在速度与耐久性上优于采用MLC技术的产品。
藉由此一产品的推出,Samsung将具备2G NAND型Flash单品、积层两颗2G晶片的4G产品,以及积层4颗2G晶片的8G产品等多样化Flash产品群,并可更加弹性因应最近快速成长的大容量、超高速NAND型Flash市场需求。 Samsung并已于2003年第三季启用12吋晶圆专用厂「Fab12」,用于生产Flash与DRAM,进一步强化居于领先的技术能力与量产能力,预期未来其Flash的出口将大幅增加,并与DRAM并列其两大出口产品。
资本支出:半导体景气复苏 Samsung资本支出再登顶峰
Samsung将在2004年第一季与第二季大举进行投资,预期2004年的总投资额将达5兆韩元(约42亿美元),约较2003年的4.2兆韩元(不含LCD领域)增加20%。此外半导体产业若因PC换机潮与奥运等因素而持续成长,Samsung将在下半年调整投资计画,因此预估其2004年的整体设备投资规模有可能超过5兆韩元。
Samsung将针对12吋晶圆厂进行大规模投资,计划于华城Fab12厂的Phase2(第二阶段)与Phase3(第三阶段)建构上,投资3兆韩元(约25.1亿美元),并在Fab13新厂投资1兆韩元(约8.4亿美元)左右,以借此大幅扩增12吋晶圆产能,预期到2004年年底时,Samsung的12吋晶圆加工能力,将由目前的每月2.5万片(Fab11厂MPS Line的1万片加上Fab12厂Phase1的1.5万片)大幅扩增到每月7.4~7.7万片,增加约三倍,并成为全球最大的12吋晶圆制造业者。
由于12吋晶圆厂的晶片产量较8吋晶圆厂约高出2.25倍,且良率提高40%以上,因此Samsung将藉由12吋厂的产能扩充,稳占全球30%的DRAM市场,并巩固市场主导权。目前Samsung预定在2004年第一季季底前,完成每月可加工处理1.3万片12吋晶圆的Fab12厂Phase2的建构作业。同时,在2004年2月中旬左右,完成每月可加工处理1~1.3万片12吋晶圆的Fab13厂Phase1的设备投资与设备Set-up,并在2004年第二季开始启用。
至于Fab12厂Phase3,Samsung计划在2004年4月或5月完成设备Set-up,Phase3将具备至少1.3万片的12吋晶圆月处理能力。此外,Samsung还计划在2004年7月进行Fab13厂Phase2的投资,推估Fab13厂Phase2的12吋晶圆月处理能力约1.3万片。预期2004年Samsung的记忆体产量(以128M为基准),将由2002年的12亿颗左右,以及2003年的17亿颗左右,大幅扩增到25亿颗左右,并可望在2004年持续称霸全球DRAM、SRAM与Flash市场。
Samsung并计划在南韩政府容许企业于首都圈增设工厂的2004年1月起,分阶段扩建华城半导体厂区Fab14厂与Fab15厂,并投入4000到5000亿韩元(约3.3~4.2亿美元)进行相关基础工事。 Samsung计划将华城半导体厂的厂区由30万坪扩增到47万坪,并在2010年之前总计投资600亿美元,以借此将目前已完工及兴建中的6条生产线倍增到12条,目的在于将华城半导体厂培植为全球性记忆体生产基地。预估在完成上述扩厂目标后,华城半导体厂的年出口额将达750亿美元。至于现有生产线的升级上,也将投入5千到6千亿韩元(约4.2~5亿美元)资金。另外,为强化非记忆体晶片事业,Samsung还计划在器兴厂Fab8与Fab9厂旁,建构系统LSI专用12吋晶圆生产线。
市场策略:2004年主攻中国大陆市场
根据Dataquest的预估,预期到2005年时,中国大陆半导体市场规模将由2003年的284亿美元快速成长到467亿美元。由于中国大陆市场快速扩大,且需求逐步由低附加值产品转向高附加值与尖端产品,因此2004年Samsung将以扩大出口市场及新一代产品,在全球市场一争胜负,并以攻掠中国大陆市场为胜负关键;Samsung大陆市场布局如(图二)。
Samsung计划在2006年之前,将其称霸中国大陆市场的产品,由目前的SRAM、DDI(显示器驱动晶片)、VCD晶片与笔记型电脑用LCD等四项大幅扩增到18项,并将其在中国大陆的半导体领域销售额提高到50亿美元以上,亦即较去年的16亿美元增加3倍以上。同时将积极强化、扩大其在中国大陆的研发、生产与行销。Samsung半导体部门总经理李润雨表示,Samsung将强化半导体与TFT-LCD产品在中国大陆的开发、生产与行销,并跃升为在中国大陆最受信赖的数位企业,李润雨认为,Samsung在中国大陆扩大半导体事业,将会是引领Samsung半导体与LCD事业迈向新阶段的一大契机。
Samsung于2003年12月在中国苏州举行半导体厂(SESS)第三生产线的竣工仪式,并启用中国半导体研究所(SSCR)。基此,除记忆体组装厂(苏州)与销售据点(北京、上海)外,Samsung在中国大陆市场亦将具备研发中心,此举将有助于Samsung抢占中国大陆半导体市场先机。此次启用的记忆体专用第三生产线,主要用于组装生产256M以上的大容量DRAM及Flash与SRAM等记忆体,该生产线到2004年年底时将具备4千万个以上的记忆体月产能。
Samsung苏州半导体厂第一生产线系在1996年竣工,目前每月组装生产3500万个到4000万个左右的系统晶片(System LSI);第二生产线则系在去年启用,目前月产200万个到300万个左右的记忆体模组。而设立半导体研究所则是为了因应当地客户需求,开发符合当地市场需求的半导体产品,并借此抢占中国大陆市场先机。除苏州半导体研究所外,Samsung还计划在2004年初于杭州设立第二个半导体研究所。未来苏州研究所将重点研发封装,杭州研究所则将主力研发MCU与Optical SOC等系统解决方案(SI)。
同时Samsung中国大陆半导体研究所计划在2005年之前,聘用140名以上的研发人力,并将与北京大学、清华大学与复旦大学等知名大学进行合作。 Samsung还计划在今年上半年于杭州设立第二个半导体研究所。未来苏州研究所将重点研发新一代封装,杭州研究所则将主力研发MCU。 Samsung今年将正式启动在中国的三大(开发、生产、销售)核心轴,加速扩大其在中国的半导体事业。同时除记忆体与非记忆体半导体外,TFT-LCD部门亦着手进行后续投资。
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结论-未来展望
Samsung以半导体的成长为养分,晋升为世界级企业。目前其在半导体领域,正准备进行第二次跃升,计划透过转换过于偏重记忆体的事业结构,达成在记忆体与非记忆体晶片等所有领域称霸全球的目的。
在记忆体事业方面,Samsung的策略为强化Flash、SRAM与复合晶片等事业,以摆脱对价格波动极大的DRAM的过度依赖。同时,决定将DRAM事业的重心,由泛用产品转向高附加价值产品,策略上将增加伺服器、工作站、NB与绘图用高单价产品比重,并朝适用于新一代行动电话、超小型数位相机与客户订制型游戏机等各种产品的「Solution DRAM」发展,计划在2005年时将「Solution DRAM」事业比重拉高到与泛用DRAM相当的水准;如(图三)。
此外,由于预估Flash的年复合成长率将达54%,Samsung计划强化此一领域,以掌握记忆体领域的主导权,并计划在2005年之前,将SRAM与Flash的比重,拉高到整体的50%。
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对于将电路线宽微缩到奈米水准的半导体制程技术,以及除矽晶(Silicon)以外,以砷化镓(GaAs)与矽锗(SiGe)等新的半导体为材料的先进半导体的开发,亦正积极促进。目前已确保90奈米核心技术,计划在2004年应用于量产;50奈米以下的技术亦正研发中。同时,于生命工学结合电子技术的生物晶片(Bio-chip),亦将列为未来事业,并在研究单位进行相关技术研发。
在非记忆体事业方面,Samsung为后援数位整合产品的开发,正针对提供解决方案的非记忆体晶片事业,促进强化方案。同时,由于非记忆体晶片市场规模约达记忆体的三倍,未来还有成长空间,价格涨跌亦不若记忆体般激烈,因此,朝此一方向发展,还可降低对记忆体的过度依赖。 Samsung计划在2005年之前,将非记忆体晶片领域的的销售额扩增到50亿美元,并以进入全球前五大为目标。
总言之,Samsung的策略在于以DRAM、SRAM与Flash等记忆体的各种产品组合及市场优势为基础,主导记忆体半导体的标准与价格走向,并以此强化行销,擘画其全球半导体霸主版图。未来Samsung将以优势的技术力为基础,及早开发新一代记忆体半导体并导入量产,以此抢占市场先机;同时,将进一步巩固其在DRAM市场的地位,并维持其在DDR400与DDR2等高速DRAM的市场主导权,藉由高附加值产品的生产与出口,在市场上一争胜负。
(作者任职于拓墣产业研究所)
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