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格棋化合物半导体荣获第22届台湾金根奖

台湾碳化矽(SiC)材料厂格棋化合物半导体获第22届台湾金根奖肯定。台湾金根奖以「深耕台湾、布局全球」为核心精神,表扬以台湾为营运根基、具备国际市场拓展能力与产业竞争力的企业。格棋此次以中小企业组「半导体及数位科技」领域获奖,展现公司自2022年成立以来,持续投入SiC材料、长晶制程与大尺寸晶圆技术的成果,也反映台湾在第三代半导体材料端建立自主能力的产业意义。



图一 :   格棋荣获第22届台湾金根奖肯定,由格棋国际业务代表叶伊翎(中)代表出席受奖
图一 : 格棋荣获第22届台湾金根奖肯定,由格棋国际业务代表叶伊翎(中)代表出席受奖

随着AI资料中心、电动车、再生能源与先进封装快速发展,功率元件正朝高电压、高频率与高功率密度演进,材料品质成为系统稳定运作的基础。SiC具备高崩溃电场、高热导率与高温运作优势,过去多应用於电动车与再生能源系统,如今在AI资料中心电源架构、先进封装散热与高效能运算平台中,重要性持续提升。格棋董事长熊观明表示:「第三代半导体是台湾下一个十年的重要战略机会。此次获得金根奖,是对团队长期投入技术研发与制造落地的鼓励,也代表产业对台湾建立关键材料自主能力的期待。」


格棋以台湾作为研发、制造与技术决策中心,主要生产据点位於桃园中坜。中坜一厂已投入量产,聚焦6寸与8寸SiC晶锭、晶棒及晶圆生产;中坜二厂则持续建置,规划扩充8寸量产能力并建立12寸试产线。格棋目前产品涵盖6/8/12寸导电型SiC晶锭与晶圆、6/8寸半绝缘型SiC晶锭与晶圆、导电型籽晶及高纯度碳化矽粉。公司以原材料物性控管、籽晶沾黏精度、热场叁数设计与结构稳定性为核心,累积逾千次晶体生长经验,并将SiC晶体缺陷密度压低至102/cm2以下,提升大尺寸晶圆量产所需的一致性与可靠度。
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