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SiC MOSFET应用技术在雪崩条件下的鲁棒性评估
 

【作者: 意法半導體】2020年08月18日 星期二

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本文探讨如何在雪崩运作条件下评估SiC MOSFET的鲁棒性。 MOSFET功率转换器,特别是电动汽车驱动马达功率转换器,需要能够耐受以前的运作条件。元件在续流导通期间出现的失效或闸极驱动命令讯号错误,确实会致使转换器功率开关二极体在雪崩条件下运作。因此,本文透过模拟雪崩事件,进行非钳位元感性负载开关测试,并使用不同的SiC MOSFET元件,依照不同的测试条件,评估技术的失效能量和鲁棒性。


引言

效能和可靠性是所有电子功率转换器必备的主要特性。在与人类社会活动和生态环境保护相关的应用领域,例如,交通、工业、能源转换等,标准矽基功率开关已被SiC MOSFET取代,因为 SiC MOSFET在电流密度/晶片面积、击穿电压、开关频率、工作温度方面表现更出色,可缩减功率转换器的体积和尺寸,同时提升效能[1],[2]。
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