相较于矽（Si），采用碳化矽（SiC）基材的元件性能优势十分的显著，尤其是在高耐压与耐高温的性能上，然而，这些优势却始终未能转换成市场规模，让这个问世已十多年的高性能元件一直束之高阁。主要的原因就出在碳化矽晶圆的制造和产能的不顺畅。

由于物理的特性，碳化矽材料拥有很高的硬度，目前仅次于金刚石，因此在生产上势必要在高温与高压的条件下才能生产，一般而言，需要在2000°C以上高温（矽晶仅需在1500°C），以及350MPa以上才能达成。若透过添加一些特殊的助烧剂，或者气体沉积的方式，则可使碳化矽烧成温度降到2000°C左右，且在常压就能进行。

高温、速度慢 碳化矽长晶制程难度十足
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