ROHM近日研发出采用沟槽结构的SiC-MOSFET，并已建立完备的量产体制。与量产中的平面型SiC-MOSFET相比，同一晶片尺寸的导通电阻可降低50%，这将大幅降低太阳能发电用功率调节器和工业设备用电源、工业用变流器等所有相关设备的功率损耗。此次研发的SiC-MOSFET计画将推出功率模组及离散式封装产品，目前已建立完备的功率模组产品的量产体制。

产品背景
...
...