账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES / 文章 /
深入解析新型Power Clip 33 Dual MOSFET
实现更高功率密度的方法

【作者: SG Yoon;Arthur Black】2013年10月07日 星期一

浏览人次:【11330】

在电源方面,找到一种提高功率密度的方法(即单位体积内产生更高功率)可实现许多关键设计优势,包括更小尺寸、更轻重量、更高效率以及更低物料成本。毋庸置疑,许多设计者选择电源元件时,将功率密度视为最重要的指标之一 。


在典型的动力系统中,设计者通常期望能改善功率密度之处就是Power MOSFET。近年来,半导体公司在这些元件的功率密度方面做出了极大地改进,但设计者们仍试图继续改善已存在的问题。


近期设计的新元件-快捷 FDPC8011S power clip 33 非对称 dual MOSFET表明仍有方法可以极大地改进功率密度。本文论述了 power clip 33 设计团队研究于更小封装内实现更高效能的设计思路。
...
...

另一名雇主 限られたニュース 文章閱讀限制 出版品優惠
一般訪客 10/ごとに 30 日間 5//ごとに 30 日間 付费下载
VIP会员 无限制 20/ごとに 30 日間 付费下载
相关文章
AI高龄照护技术前瞻 以科技力解决社会难题
3D IC 设计入门:探寻半导体先进封装的未来
SiC MOSFET:意法半导体克服产业挑战的颠覆性技术
超越MEMS迎接真正挑战 意法半导体的边缘AI永续发展策略
CAD/CAM软体无缝加值协作
comments powered by Disqus
相关讨论
  相关新闻
» 经济部深化跨国夥伴互利模式 电子资讯夥伴采购连5年破2,000亿美元
» 筑波举办化合物半导体与矽光子技术研讨会 引领智慧制造未来
» 2024新北电动车产业链博览会揭幕 打造电动车跨界平台迎商机
» Microchip支援NIDIA Holoscan感测器处理平台加速即时边缘AI部署
» 印尼科技领导者与NVIDIA合作推出国家人工智慧Sahabat-AI


刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BG788SXGSTACUK7
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw