账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES / 文章 /
下一代低VCE sat双极电晶体
 

【作者: S. Habenicht,D. Oelgeschlager,B. Scheffler】2010年10月12日 星期二

浏览人次:【10281】

近年来,双极电晶体发展迅速。过去高功率开关应用主要依靠MOSFET;但现在越来越多的应用领域逐渐采用双极电晶体,如消费性电子和通讯领域可携式设备的充电电路和负载开关器。其中主要原因为,透过提高半导体晶片中电流均衡分配能力,可降低饱和电阻,进而发展出电流增益更高且稳定的元件。双极电晶体既有的弱点-电流驱动问题-可得到显著改善,并再次发挥双极电晶体在温度稳定性、ESD强度和反向阻断(blocking)上的优势。


透过推出突破性小讯号(BISS)电晶体产品系列,恩智浦取得市场领导地位。第四代BISS电晶体(BISS 4,请参考图五表1)的新架构更是SMD封装型中功率双极电晶体发展的里程碑,使应用范围扩展至更具吸引力的领域。



《图一 掺磷或掺砷基板可大幅降低压降中半导体引起的压降比例》
《图一 掺磷或掺砷基板可大幅降低压降中半导体引起的压降比例》

两种产品类别-产品的架构与规格
...
...

另一名雇主 限られたニュース 文章閱讀限制 出版品優惠
一般訪客 10/ごとに 30 日間 5//ごとに 30 日間 付费下载
VIP会员 无限制 20/ごとに 30 日間 付费下载
相关文章
蓝牙技术支援精确定位
结合功能安全 打造先进汽车HMI设计
EdgeLock 2GO程式设计简化设备配置
结合功能安全,打造先进汽车HMI设计
P通道功率MOSFET及其应用
comments powered by Disqus
相关讨论
  相关新闻
» 恩智浦提供即用型软体工具 跨处理器扩展边缘AI功能
» 奥迪导入恩智浦UWB产品组合 实现免持汽车门禁
» 巴斯夫与Fraunhofer光子微系统研究所共厌 合作研发半导体产业创新方案10年
» 工研院IEK眺??2025年半导体产业 受AI终端驱动产值达6兆元
» 恩智浦再度携手文晔科技叁与「2024新竹X梅竹黑客松」竞赛


刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BG8Z463OSTACUKW
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw