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应用于高速锁相回路之CMOS毫米波除频器
台大系统芯片中心专栏(18)

【作者: 羅棠年,陳怡然】2008年07月25日 星期五

浏览人次:【28725】

传统上设计毫米波电路,通常是使用SiGe BiCMOS或Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体来实现。但由于CMOS制程快速的进步,以及低成本、高电路整合的优点,使得CMOS毫米波电路设计受到瞩目。虽然CMOS晶体管的基底具较高的耗损性,以及电感的质量因子甚低,CMOS半导体技术仍然拥有制作微波及毫米波集成电路的潜力。锁相回路以及频率合成器广泛地应用在现代的无线通信系统中,然而压控振荡器以及除频器的效能,限制了它们的最高操作频率。因此,一个可以操作在高频的除频器,将是设计CMOS高速锁相回路的挑战之一。除频器的设计,主要可以分成两大类:数字型态和模拟型态。数字型态的除频器,主要是以D型正反器(D flip-flop)的方式实现。它们的优点是操作带宽较宽、多变的除数以及较小的面积,但速度与功率消耗是主要的缺点。模拟的实现方式主要包含:注入锁定式(injection-locked)以及米勒(Miller)除频器。虽然具有狭窄锁定范围的缺点,但是基于高速操作以及低功率消耗的考虑,模拟式除频器仍然是毫米波频段的热门首选。


除频器的种类

数字式除频器
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