场效电晶体FET采用的LDMOS技术已经逐渐成为高功率射频应用的主流技术，特别是在行动通讯系统基地台中所使用的功率放大器上，高达65V甚至更高的崩溃电压使得LDMOS FET能够在以28V电源运作时维持稳定与可靠度，这篇文章将介绍这类FET元件的特性，并提供几种取得最佳效能的偏压方式。

《图一 LDMOS架构》

LDMOS特性

横向扩散金氧半导体LDMOS（Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductors） FET结构为在P型态半导体基体上形成N+源极以及汲极区的三端子元件，请参考(图一)，采用横向扩散、低阻值的P+吸入区将源极区与P+基体以及源极接点连接，这样的组态让基体可以直接与射频接地焊接，因此能够将接线寄生效应的影响降到最低。
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