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令人无所适从的未来芯片
 

【作者: 謝馥芸】2004年03月05日 星期五

浏览人次:【4996】

一讲到未来芯片,许多想象镜头一一出现:上百兆晶体管的芯片、更高速快捷的速度、更多元化功能之芯片等等。未来,总是让人充满希望。我们将会有更便利的产品,更舒适的使用功能,这是二十一世纪初科技快速演进下,人类自然会产生的期待。然而,「期待」真的是期待?不是错觉吗?


在很习以为常的科技新闻里,随便捡个最新、最具代表性的科技技术发表新闻,来证明科技业者满足了过去市场对今日的期望。2004年2月,IBM在国际固态电路会议(ISSCC)中表示,该公司之硅锗(SiGe)芯片技术,在每秒位和频率频率上,已证明硅打败了磷化铟材料,同时IBM针对无线网络,发表60GHz硅锗收发器计划。同时间,Intel(英特尔)在英特尔科技论坛(IDF)发表Intel Wireless Flash Memory英特尔第9代闪存技术,其采用采用90奈米制程技术,该产品每个cell能储存两倍的数据量。


然而在此同时,Intel却对业界大声疾呼未来将有的危机:「未来芯片热的像火箭口」。一样是2004年的2月,英特尔技术长盖尔辛格对媒体表示,未来十年内,装有Pentium芯片之计算机,将需要相当于核子反应炉的电力;十年末期,芯片就会热的像火箭的喷火口;十年后,芯片热度将媲美恒星太阳的表面。
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