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微影技术的未来 浸润式vs.奈米压印式
 

【作者: 謝馥芸】2004年02月05日 星期四

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2003年12月,半导体微影技术,正式进入另一个技术领域。在此之前,我还以为微影技术仍会照着ITRS(国际半导体技术蓝图)的原先蓝图进展,混然未察觉的是,在这个微寒的冬季,科技有又有重大的进展:「浸润式微影技术」(Immersion Lithography)隆重登场。


微影技术的发展,一直以来都象征着制程的进步、线宽能否再微缩化等等内容,在半导体产业里具有重大的指标意义。针对65奈米以下光罩制作,浸润式微影技术的出现,也代表着旧式制程已渐渐欲振乏力,需要新式技术来解决制作问题。 (相较于业界现有的193奈米的曝光机,需搭配特殊光罩组件,才能支援 65奈米制程。)


然而浸润式微影技术之所以受到产业界重大的关注,除了纳入ITRS外,台积电力拱该微影技术,更使得该技术受到媒体大众的注意。台积电为推动浸润式微影技术,这二年多以来努力推广该技术的可行性,主要是因为台积电的研发结果发现,将193奈米微影设备加入浸润功能后,无需更换193奈米所需之光阻材料,解析度即可产出超过157微影设备的等效波长,达到132奈米设备等级的等效波长。
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