一般而言，微机电元件制造技术大致可区分为三类，即：

《图一 以hybrid方式整合之微机电系统装置.》

前述制程方式在微机电元件的发展上均扮演着举足轻重的角色，绝佳的制造弹性和产品性能更是让研究人员对其未来发展深具信心，然目前科技发展趋势着重整合度和微小化，因而考虑到前述几种制程均较难以将微机电元件与积体电路同时整合在同一晶片上；其须采用打线（wire bonding）或覆晶（flip chip）、MCM（multi-chip module）等方式将两者封装在一起，虽说目前许多已商品化之微机电元件采用此方法，但有许多低杂讯、高性能元件由于需要：(1)降低杂讯：如Analog Devices之加速度计及MEMSCAP之微波被动元件；(2)降低外连线接点数：如德州仪器（Texas Instrument）之DMD、室温红外线摄像仪及600 dpi以上之喷墨头等，则均必须将微机电元件与积体电路尽可能地整合在同一晶片。也就是说，所谓CMOS-MEMS（CMOS-Compatible MEMS）实为将标准CMOS积体电路与微机电系统两者充分整合的发展技术。此种方式一般通称为monolithic integration之方式，如(图二)为瑞士苏黎世大学物理电子实验室（PEL）单晶片红外线感测器雏形之照片。

《图二 以monolithic方式整合之微机电系统装置（PEL IR sensor）》

CMOS-MEMS之制程相容性探讨
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