随着电子产品特性的转变，半导体封装技术也需顺应潮流以提升性能表现，特别是在电性、封装尺寸、成本、可靠度部份。以高阶处理器为例，其逻辑组件就须具备性能稳定及无输出噪声之特性。而受到封装体寄生参数效应的关系，高频率讯号会因而产生噪声，所以须藉由改良封装体结构以满足此类产品需求。

覆晶是目前高阶产品所选择的其中一种封装体。它最主要的优点在于提供芯片至外部线路最短的路径，因此，覆晶封装通常能达到良好电性表现。此外，覆晶所需的接合面积小，封后外观体积也较轻巧。

不过，覆晶在成本及技术上也面临诸多限制；举例而言，在芯片制造步骤部分就多出一项于芯片长凸块的费用。另外，为了减轻凸块与基板（substrate）接合时所产生的应力，在芯片及基板间通常也必须因灌入底部填胶（underfill）而增加黏着材料的使用。再者，凸块材料本身含有锡铅合金，也不符合目前环保趋势对无铅化产品的要求。
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