随着信息时代的快速发展情况下，在个人无线通信、家庭有线通讯的要求亦与日俱增，前者已由GSM、GPRS、进到第三代IMT-2000，后者则有由电话线、cable线进展到光纤的趋势，其中不祇系统架构、电路设计有重大变革，且其主要规格如传输数据速率亦快速增加；而这些成果主要拜半导体制程技术突飞猛进之赐，尤其硅制程技术在高频/高速特性的突破性进展，加上其高度整合性，使其成本的降低与市场的扩充造成良性循环，促进整个产业澎渤发展。

选择适用于通讯产品的ICs制程技术，一直有很大争论，尤其在所谓的RF CMOS加入战局之后；过去几年以来通讯ICs零组件有各种方式被提出，包括Silicon-Based技术（CMOS、Bipolar、SiGe HBT、BiCMOS），III-V族技术（GaAs/InP MESFET、HBT）。虽然最终的考虑应是经济因素，能以最低成本和最快时间将产品推出市场的将是最大赢家；但各种制程技术的高频特性，无疑是开发阶段中作为评估的重要依据。基本上III-V族技术其高频特性是优于硅制程技术，但在硅制程技术不断降低尺寸、提升效能情势下，其高频特性能已能进一步满足电路规格要求，在成本和整合性的考虑之下，无疑有将渐渐取代GaAs的可能，尤其在10GHz以下产品。

本文主要探讨硅制程技术在无线通信产品的发展现况及挑战，分别从无线通信发展趋势、组件高频特性、和RF功能单元实现，来分析各式ICs技术之优缺点与限制，涵盖着noise figure、linearity、gain、phase noise和power dissipation诸多高频系统特性，其中亦兼论到宽带光纤通讯ICs，最后对目前在研究发展的新兴技术作一番探讨，并认为High Performance SiGe BiCMOS为目前最实际可行、有效技术。
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