E-pHEMT（增强模式高电子迁移率晶体管）是一种专为使用单一正电压源的无线通信应用而优化的半导体制程。在零闸偏压时，或电流汲极Id在逻辑闸信号源电压（Vgs）等于0 VDC的情况下达到饱和位准（Idss）时，一般的消耗模式pHEMT便会进行传导。E-pHEMT在零闸偏压时并不会进行传导动作，所以当Vgs = 0 V时，Id = 0。因此，它不像消耗模式的组件，必须使用负电压（用来启动）来操作。其他的砷化镓金属半导体场效晶体管（GaAs MESFET - 也可简称为GaAs FET）和高电子迁移率晶体管（HEMT）也使用正电压来操作，并需要负电压来启动。为提供负电压而使用的额外组件，将会提高系统的成本、占用宝贵的电路板空间、并且需要额外的设计。

安捷伦E-pHEMT技术的发展过程

安捷伦于1980年代，在当时位于加州Palo Alto的HP实验室（现为安捷伦实验室）发展出它的第一个E-pHEMT组件，最初的动机其实是要发展数字信号处理所需的IC。对该项应用来说，个别的晶体管必须很小，并完全配合IC的布局。一个晶体管平均的逻辑闸周边为100微米，并强调临界电压应一律小于30 mV。以2,000个晶体管的整合层次来看，泄漏电流并不是很重要，这在当时对GaAs来说是一个值得达到的目标。
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