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黄光技术力求突破
迎接0.13微米时代 铜制程新挑战

【作者: 李志武】2001年09月01日 星期六

浏览人次:【12871】

若有机会置身在晶圆厂中,走过蚀刻(Etch)、炉管(Diffusion)、离子植入(Implant)等制程部门,可能还不会有什么特别感觉,但是当看到厂房内有一部门,其灯全是黄色灯光,房间内仿佛洗底片之暗房般,而该部门称之为「黄光」,就不免让路过的人产生好奇心。


黄光,即是为避免产品曝光,产品在黄光下进行一连串的半导体微影(Lithography)制程动作,目前已有的微影技术为Visible(可见光)、NUV(Near Ultra-Violet,近紫外光)、MUV(Mid UV;中紫外光)、DUV(Deep UV;深紫外光)、VUV(Vacuum UV;真空紫外光)、EUV(Extreme UV;极短紫外光)、X-光等,至于G -line之436奈米以及I-line的365奈米,目前已渐渐为业界所淘汰。


随着奈米技术出现,黄光在半导体制程中亦显重要,因此如何利用黄光技术来克服线宽问题,为所有光罩代工厂及晶圆厂的共同目标。不过,目前业界真正能量产的是0.18微米的光罩,0.15微米光罩只有少量产出,0.13微米则是所有光罩代工厂研发进展的共同目标,究竟何时0.13微米才能真正成为光罩主流,仍是未知数。
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