近年来,从移动电话、PDA等为代表的携带式电子产品,进而到笔记本电脑、VTR等等皆急遽的开始采用锂离子二次(可再充电)电池。这是因为,锂离子二次电池能符合携带式电子产品在小型、轻量及长时间使用上的需要。然而,另一方面,锂离子二次电池需要过充和过放等的保謢,所以,通常在电池包里会放置IC保护回路。笔者将会在后面,为读者们介绍锂离子二次电池保护用IC所扮演的角色以及对应于各直列接续数最适合的IC。
锂离子二次电池保护IC的角色
锂离子二次电池,会因为用户的错误使用,而造成过充产生电池温度上升。再者,因为电解液的分解而产生瓦斯,使得内部压力上升,和金属锂等的释出,而造成有起火及破裂的危险性。相反地,进行放电时,过放的场合下,会分解电解液,使得电池的特性产生劣化。
而为了避免过充及过放产生安全性的问题,以及防止电池特性的劣化,在锂离子电池包中,放置了保护回路,这个回路的例子以(图一)来表示。基本上,是由2个FET和专用的IC(以下称为保护IC)所构成。保护IC的作用就在于监视着电池电压,控制着2个FET的GATE,而FET,分别实行着控制过充和过放的功能。
a.锂离子二次电池保护用IC的基本动作:
关于锂离子二次电池的保謢,必须具有以下3个保护的机能。
.过充的检定:防止电池的特性劣化、起火及破裂。安全性的确保。
.过放的检定:防止电池特性劣化。确保其耐久使用次数。
.过电流的检定:防止FET的破坏。短路保护及确保搬运时的安全性。
以上3种保护,是以使用保护回路来实现,经由此种回路设计,进而谋求其电池包的安全性和信赖性上的提升。
b.通常状态:
在通常的状态下,可自由的充放电。因而,像(图二)所示,控制用的FET皆成为ON的状态。为了有效地利用放电电流及充电电流、在FET里,采用了小的ON抵抗的POWER MOS。
c.过充保护动作:
过充保护,是指在达到某个电池电压(以下称为过充电检出电压)时,则禁止由充电器继续充电。也就是说,将控制过充的FET变成OFF的状态,停止充电电流的流动。电池包,如同(图三)所示,将控制充电的FET的Gate成为OFF状态,进而停止充电的动作。但是,过充检出之后,负载上的放电必须是可行的才可以。
过充检出电压的误差值,一方面渐渐地提高电池的安全性(防止内压上升)另一方面,由于高容量的需求,进而要求提高其精确度。另外,过充电检出,对应于脉冲充电及由于噪声而发生的误动作,因而需要延迟时间的设定。最近的保护IC,可以利用外接电容,而自由设定延迟时间。
d.过放保护动作:
过放保护动作,是在电池电压变低时,停止负载上的放电。之后,等接续充电器后,再实行其充电的动作。电池包,如同(图四)所示,将控制过放的FET的Gate变成OFF的状态,禁止其放电。恰好与过充电检出时的动作相反。
由于过放检出电压以下,电池电压不能再降低的缘故,因而彻底地要求保护用IC消费电流的极小化。再者,为了对应于脉冲放电,过放检出里设有延迟时间的情形也很多。
e.过电流保护动作:
过电流保护动作,是在消费大电流时,停止其对负载时的放电。此目的在于保謢电池及FET,和电池包运送时其安全性的确保。再者,过电流检出,是将FET的ON电阻当成sense电阻处理,监视其电压的下降情形。若比所定的电压(过电检出电压)还高,则立即停止其放电动作。过电流检出电压(图五),因为在降低FET的ON电阻的竞争上,进而更要求其高精度化。
并且,过电流检出,必需设置延迟时间。若没有延迟时间,当容量里有突然的电流流入时,会检测出过电电流,而使得放电停止。因此,近来的保护IC,皆分为在短路时和有突然电流流入时两种不同阶段的检出。过电流检出之后,若与负载脱离,会回复其通常状态,可以再实行其充放电的功能。
锂离子二次电池保护IC的种类
锂离子二次电池包,在驱动携带式电子产品的电池上所使用的保护IC皆不相同。(表一)所列出的是,根据其直列接续数所应用的产品。
以Seiko instruments的保护IC为例,其过充电检出电压的精准度为±25mV(温度=25℃),算是非常高精度化,另外,当Power down时的消费电流也小到只有0.14μA(温度为-40℃~85℃),全部采用以往的实绩所培育出的技术,以确保其高信赖性(过充电补助检出电压),因此,非常适于强调安全性的锂离子电池所使用的保护用IC。再者,由于采用小型包装,且外接零件也减少的情况下,极为有利于电池包的小型及薄型化的要求。
锂离子二次电池保护IC的未来
a.保护机能的检讨:
并非皆需具备过充、过放及过电流保护的机能,例如,划分其机能,将来,也许会采用只有过放电保护机能的保护IC,构成其保护回路。
b.过充电检出电压更高精度化:
为了提高电池包的安全性以求更且大容量化,因而十分要求过充电检出电压的高精度化。现在,±25mV(温度=25℃的条件下),为精准度最高,但往后在其温度范围内,会被要求同样能达到最高精准。
c.Low Cost及高安全性:
在保护回路上,正以重视成本及重视安全性等二极化进行。在这种情形下,未来可划分为:保护IC及Reset IC等单品IC所制成的简略化的东西,和使用专用IC等二大形态。
d.控制IC和外部FET的One Package IC化:
在考虑空间的情况下,将控制IC和外接FET采用One Package IC化,是有利的作法。但是,由于FET能选择的范围有限,再加上FET的热影响会产生控制系统的误动作和破坏等情形,基于在安全性的考虑,采用One Package IC化,不会是最佳的选择。
e.汽车用保护IC:
锂离子二次电池的最大市场为汽车电池的市场。与携带式电子产品相比较,由于容量变大,因此其安全性的要求会更加强烈,以往的保护机能可能有所不足,因此,如何对应其变化,是今后重要的课题。
f.次世代二次电池用保护IC:
目前各家电池厂商,皆快速的开发次世代二次电池(Lithium Ion Polymer),并宣称最后将会不需要使用保护回路。但是,并非马上真的不需要保护回路,只是,变成使用只具有一部分的保护机能的保护回路,因而可以推想,今后保护用IC会有简化的趋势。