随着积体电路日益缩小，对污染的忍受度也越来越低，CMP 后清洁作业成为制程中更加关键的步骤。必须进行这道清洁步骤，才能制备后续步骤所需的晶圆，若清洁效果理想，也有助于提高装置的最终产量。所面临的挑战在于，在这道步骤中要移除的污染物相当多，但用于移除的化学品必须具备相当的选择性特性，且不会损害先前已安置妥当的表面材料与结构。从 10 奈米开始，高阶节点中已引进了许多新材料，因此我们必须重新配制原有的 PlanarClean化学品，使其相容于这些新材料 (并不会损害这些材料)。最根本的关键在于，高阶节点的容错空间已越来越小。

这款新PlanarClean AG 是PlanarCleanpCMP 清洁溶液产品系列的「先进世代」配方，也就是说，这不仅是旧款化学品的全新版本，还经过特别设计，可为讲究清除所有污染物的高阶节点，提供新的清洁机制。因此，应将其视为全新的清洁平台。透过调制，不会损坏、蚀刻或移除高阶节点的新材料，例如钴和钨。从前我们无法真侧到晶圆表面上的某些 (极小型) 污染物，但现在已可侦测到，还必须加以清除。

三大功能
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